Strona główna

Wzory formularzy


Pobieranie 2.11 Mb.
Strona2/18
Data19.06.2016
Rozmiar2.11 Mb.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   18

..............................., ............... 2013 r. ......................................................................

miejscowość, data podpis i pieczątka Wykonawcy



Wzór nr 3a

Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013

(pieczęć Wykonawcy)




CEZAMAT PW Sp. z o.o.

ul. Polna 50

00-644 Warszawa

OPIS URZĄDZEŃ APARATURY NAUKOWO – BADAWCZEJ

OFEROWANYCH PRZEZ WYKONAWCĘ

Budowa Laboratorium Centralnego wraz z dostawą elementów wyposażenia, a także dostawą, instalacją i uruchomieniem aparatury naukowo - badawczej w ramach prawa opcji.


Lp.

Nazwa urządzenia

Parametry wymagane

Potwierdzenie posiadania parametru

(TAK* / NIE*)

Oferowana wartość parametru


1.

Urządzenie do epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).

1.1.

Główne zastosowania.







1.1.1.

Wytwarzanie cienkich warstw i struktur półprzewodnikowych zawierających: Zn, O, N, As, Sb, Mg, Ga i Co.







1.2.

Przedmiot zamówienia wraz z wszystkimi opcjami i elementami wyposażenia dodatkowego, w jakie powinno być wyposażone urządzenie. Części składowe urządzenia/systemu (jeśli możliwe jest ich wyodrębnienie). Spis części i materiałów eksploatacyjnych, z którymi ma być dostarczone urządzenie.







1.2.1.

Reaktor trójkomorowy







1.2.2.

Reaktor musi się składać z komór: załadowczej, przygotowawczej (buforowej) i komory wzrostu.







1.2.3.

Wymagany jest standard ultra wysokiej próżni UHV.







1.2.4.

W szczególności układ próżniowy stanowić będzie:

  1. Pojedyncza komora wzrostu dla związków II-VI, która będzie używana do osadzania: warstw tlenku cynku, warstw tlenku cynku z magnezem oraz struktur domieszkowanych arsenem, azotem, antymonem, kobaltem oraz galem.

  2. Pojedyncza komora buforowa, z systemem przechowywania podłoży i możliwością wstępnego wygrzania próbek.

  3. Komora załadowcza.







1.2.5.

Aparatura MBE musi umożliwiać osadzanie warstw półprzewodnikowych na podłożach wykonanych np. z Np.2O3, GaN, Si o średnicy do 4 cali (odpowiednio 100mm).







1.2.6.

Reaktor musi umożliwiać przechowywanie przynajmniej 6 sztuk podłoży w warunkach ultra wysokiej próżni.







1.2.7.

System transferu musi umożliwiać przenoszenie podłoży między komorami: załadowczą, przygotowawczą oraz wzrostu.







1.2.8.

Wraz z układem komór musi zostać dostarczony system pomp zapewniający utrzymanie warunków UHV.







1.2.9.

Wszystkie procesy technologiczne osadzania cienkich warstw muszą być kontrolowane przez komputer PC, sterowany odpowiednim oprogramowaniem oraz dedykowanym układem automatyki.







1.2.10.

Wraz z Urządzeniem zostanie dostarczony 1 komplet części eksploatacyjnych obejmujący:

  1. Tygle – po jednym na każde źródło.

  2. Grzałkę podłoży – jeden zestaw.

  3. Piecyk w komorze głównej (grzałka manipulatora podłoża wraz z termoparą i obudową) – jedna sztuka.

  4. Kompletny zestaw przesłony komórki – dwie sztuki.

  5. Włókno głowicy typu Bayarta-Alperta do pomiaru strumienia gazu – trzy sztuki.

  6. Włókno głowicy typu Bayarta-Alperta do pomiaru próżni – trzy sztuki.







1.3.

Minimalne akceptowane parametry techniczne (zarówno samego urządzenia, jaki elementów wyposażenie dodatkowego), jakie powinno spełniać zamawiane urządzenie.







1.3.1.

Komora wzrostu:







1.3.1.1.

Jedna komora wzrostu z płaszczem azotowym (płaszczami azotowymi), chłodzonym(i) ciekłym azotem (LN2).







1.3.1.2.

Ciśnienie bazowe w komorze wzrostu niższe (lepsze) niż 7∙10-10 Torr (pusty płaszcz azotowy i wyłączone źródła, przy pompowaniu jedną pompą turbomolekularną), komputerowo sterowany manipulator podłoży umieszczony w komorze wzrostu z odporną na działanie tlenu grzałką podłoży (Tmax ≥ 1100oC dla ciśnienia cząstkowego aktywnego tlenu O2 do 5∙10  -5Torr), termopary, zasilacz, regulator PID i mechanizm obrotu podłoży z układem sterowania. Wymagane jest by obrót podłoży był możliwy do wartości max 60 obrotów/minutę. Pożądana geometria grzałki spiralna lub podobna, zapewniająca jednorodność temperatury na podłożu 4 cale (odpowiednio 100 mm).







1.3.1.3.

Przynajmniej 10 portów źródeł MBE; nieużywane porty zaślepione.







1.3.1.4.

Niezależne, sterowane komputerowo przesłony z odpornymi na utlenianie płytkami, jedna do każdego źródła MBE (uruchamiane pneumatycznie lub elektromagnetycznie); nieużyte porty przesłon zaślepione. Możliwość sterowania przesłonami komórek komputerowo i manualnie.







1.3.1.5.

Wziernik z przesłoną ręczną dla pyrometrii optycznej rosnących warstw epitaksjalnych, port usytuowany naprzeciw podłoży.







1.3.1.6.

Dwa porty wziernikowe z ręcznymi przesłonami dla elipsometrii optycznej.







1.3.1.7.

Zawór szybrowy umożliwiający przenoszenie podłoży pomiędzy komorą wzrostu, a komorą przygotowania podłoży.







1.3.1.8.

Porty dla działa elektronowego i ekranu RHEED z ręcznymi przesłonami.







1.3.1.9.

Wzierniki (wraz z ręcznymi przesłonami) do kontroli przenoszenia podłoży i stanu źródeł.







1.3.1.10.

Port dla analizatora gazów resztkowych.







1.3.1.11.

Analizator gazów resztkowych (o czułości przynajmniej 1-100 amu) z kontrolerem.







1.3.1.12.

Miernik natężenia strumienia jonów (typu Bayarta-Alperta) z kontrolerem, dodatkowa przesłona usytuowana na mierniku natężenia strumienia jonów umożliwiająca przesłonięcie części molibloku (podłoża) podczas wzrostu. Zabezpieczenie głowic jonizacyjnych typu Bayarta-Alperta przed pracą przy nadmiernie wysokim ciśnieniu, możliwość odgazowania głowicy.







1.3.1.13.

Miernik próżni (typu Bayarta-Alperta) z kontrolerem, możliwość odgazowania głowicy.







1.3.1.14.

Wszystkie niezbędne elementy podłączenia układu pomp komory wzrostu.







1.3.1.15.

Niezbędne do pracy układu tablice rozdzielcze dla mediów (np. ciekłego azotu – LN2, wody chłodzącej, suchego gazowego azotu, sprężonego powietrza).







1.3.1.16.

Wszystkie części wewnętrzne (tj. grzałki, włókna grzejne, termopary, np.) muszą być odporne na działanie tlenu w pełnym zakresie temperatur ich wykorzystania (przy ciśnieniu cząstkowym aktywnego tlenu O2 do 5∙10-5 Torr).







1.3.1.17.

Układ RHEED z odchylaniem (ang. Beam rocking) i zaślepianiem (ang. Beam blanking) wiązki, zawierający działo elektronowe (przynajmniej 15 kV), podłączenie umożliwiające regulację kąta padającej wiązki elektronowej, fluorescencyjny ekran (z pokryciem Np.), podłączenie do odpowiednich portów RHEED, zasilacze i elektronikę sterującą. Układ RHEED z możliwością pompowania zewnętrznego, przystosowany do pracy w atmosferze aktywnego tlenu, przy ciśnieniu roboczym O2 5x10-5 Torr; zabezpieczenie portów wziernikowych przed ewentualnym wydostawaniem się promieniowania przez porty wynikającym z pracy działa RHEED przy dużym napięciu. Ruchomy zestaw pompowy do zewnętrznego pompowania działa RHEED podczas pracy w tlenie. Komputer, kamera oraz oprogramowanie do detekcji obrazu RHEED oraz pomiaru oscylacji natężenia punktu zwierciadlanego RHEED.







1.3.1.18.

Pojedynczy zestaw do zewnętrznego wygrzewania do 200oC komory wzrostu składający się z paneli grzałek i wentylatorów wymuszających cyrkulację powietrza niezbędną dla jednorodnego rozkładu temperatury w czasie wygrzewania, zasilacz i kontroler z automatyką zabezpieczającą w przypadku nadmiernego wzrostu ciśnienia w komorze. Dodatkowy zestaw grzałek zewnętrznych pozwalających na jednoczesne wygrzanie innych elementów układu w tym: zaworów pomp kriogenicznych oraz pompy turbo oraz komory buforowej.







1.3.2.

Układ pomp komory wzrostu:







1.3.2.1.

Układ z pompą turbomolekularną (odporną chemicznie):







1.3.2.1.1.

Prędkość pompowania dla azotu przynajmniej 2000 l/s z kontrolerem i bezolejową pompą próżni wstępnej, pompa turbomolekularna z kontrolerem, możliwość wygrzewania pompy.







1.3.2.1.2.

Ciśnienie bazowe w komorze wzrostu niższe (lepsze) niż 7∙10-10 Torr (pusty płaszcz azotowy i wyłączone źródła, przy pompowaniu jedną pompą turbo).







1.3.2.1.3.

Sterowany komputerem zawór szybrowy, łączący komorę wzrostu z pompą turbomolekularną.







1.3.2.2.

Układ pompowy z pompą kriogeniczną:







1.3.2.2.1.

W tym: jedna kriogeniczna (prędkość pompowania powietrza przynajmniej 1500 l/s) z pomiarem temperatury zimnego palca i wyposażona w grzałkę do szybszej regeneracji, kompresor współpracujący z pompą kriogeniczną oraz giętkie przewody helowe o długości co najmniej 10 m w obie strony, pompa kriogeniczna z zaworem bezpieczeństwa. Zabezpieczenia przeciw przekroczeniu dopuszczalnej temperatury i ciśnienia.







1.3.2.2.1.

Ciśnienie bazowe w komorze wzrostu niższe (lepsze) niż 7∙10-10 Torr (pusty płaszcz azotowy, wyłączone źródła, przy pompowaniu pompą kriogeniczną).







1.3.2.2.1.

Sterowany komputerem zawór szybrowy dla pompy kriogenicznej.







1.3.2.3.

Wszystkie układy pompowe dostosowane do pracy w pomieszczeniach o klasie czystości 100 lub lepszej.







1.3.3.

System przygotowania i transportu podłoży:







1.3.3.1.

Wymiar uchwytu molibdenowego – 4 cale (odpowiednio 100mm), możliwe wymiary podłoża – 4, 3 i 2 cale (odpowiednio 100, 76 i 51 mm).







1.3.3.2.

Jedna komora załadowczo/wyładowcza z wziernikiem i drzwiczkami szybkiego dostępu, lampami do odgazowania podłoży (temperatura podłoży w zakresie 100 – 200oC), turbomolekularnym układem pompowym (uzyskiwane ciśnienie < 10-6 Torr w czasie krótszym niż 30 minut) i pomiarem ciśnienia w szerokim zakresie; możliwość wypełnienia komory załadowczej suchym, gazowym azotem po zatrzymaniu pompy.







1.3.3.3.

Jedna komora przygotowania (buforowa) podłoży przeznaczona do przechowywania przynajmniej 6 podłoży w uchwytach molibdenowych (np. podłoży kalibracyjnych lub warstw przeznaczonych do dalszych procesów wzrostu), umożliwiająca odgazowywanie podłoży (temperatura próbki do 800oC), wziernik, niezależny układ pomp próżniowych i mierników próżni, ciśnienie < 7∙10-10 Torr. Układ grzałek zewnętrznych przystosowanych do wygrzewania komory.







1.3.3.4.

System przenoszenia podłoży pomiędzy wszystkimi komorami układu MBE.







1.3.3.5.

Molibdenowe uchwyty podłoży:

  1. 1 bezklejowy 4 calowy (odpowiednio 100mm) uchwyt podłoży z elementami poprawiającymi jednorodność rozkładu temperatury na podłożu,

  2. 1 bezklejowy 3 calowy (odpowiednio 76mm) uchwyt podłoży z elementami poprawiającymi jednorodność rozkładu temperatury na podłożu,

  3. 2 bezklejowe 2 calowe (odpowiednio 51 mm) uchwyty podłoży z elementami poprawiającymi jednorodność rozkładu temperatury na podłożu,

  4. 3 bezklejowe uchwyty podłoży przystosowane do ćwiartek podłoży 2 calowych (odpowiednio 51mm) z elementami poprawiającymi jednorodność rozkładu temperatury na podłożu,

  5. 2 bezklejowe uchwyty podłoży przystosowane do połówek podłoży 2 calowych (odpowiednio 51mm) z elementami poprawiającymi jednorodność rozkładu temperatury na podłożu,

  6. 3 bezklejowe 1x1 cm uchwyty podłoży z elementami poprawiającymi jednorodność rozkładu temperatury na podłożu,

  7. 3 pełne uchwyty podłoży o średnicy 4 cale (odpowiednio 100mm).







1.3.4.

Źródła MBE dla ZnO i ZnMgO:







1.3.4.1.

Dwa źródła plazmy RF tlenu z precyzyjną kontrolą przepływu, zasilaczem i automatycznym regulatorem RF – wymagana wysoka jednorodność strumienia tlenu na całej powierzchni podłoża o średnicy 4 cale (odpowiednio 100mm), stabilna praca plazmy w szerokim zakresie mocy i przepływu tlenu. Wysoka jakość tuby kwarcowej, kwarc wysokiej czystości.







1.3.4.2.

Jedno źródło plazmy RF azotu, domieszkowe, z precyzyjną kontrolą przepływu, zasilaczem i automatycznym regulatorem RF (moc max 600 W) – wymagana wysoka jednorodność strumienia tlenu na całej powierzchni podłoża o średnicy 4 cale (odpowiednio 100mm), możliwość stabilnej pracy plazmy w zakresie mocy 250 – 550 W, w szerokim zakresie przepływu azotu.







1.3.4.3.

Jedno źródło Zn przeznaczone do parowania Zn w warunkach atmosfery tlenowej (z eliminacją krystalizacji ZnO na wylocie komórki), pojemność przynajmniej 120 cm3 (tygiel komórki zapewniający jednorodny strumień na podłożach 4 calowych (odpowiednio 100mm)), regulator PID i zasilacz DC, stabilność temperatury źródła ± 0.1 0C przy zalanym ciekłym azotem kriopanelu.







1.3.4.4.

Jedna komórka efuzyjna do Mg z tyglem o pojemności co najmniej 80 cm3, termoparą, regulatorem PID i zasilaczem DC, komórka z zabezpieczeniem nadmiernego utleniania wsadu Mg.







1.3.4.5.

Jedna komórka krakingowa do domieszki As zapewniająca stabilny strumień arsenu: z tyglem o pojemności 12 cm3 (lub większym), termoparą, regulatorem PID i zasilaczem DC, z zaworem oraz kontrolerem położenia zaworu.







1.3.4.6.

Jedna komórka domieszki Sb z tyglem o pojemności 12 cm3 (lub większym), termoparą, regulatorem PID i zasilaczem DC.







1.3.4.7.

Jedno źródło Ga o pojemności przynajmniej 60 cm3, z dwoma elementami grzejnymi komórki, tyglami, termoparami, regulatorami PID i zasilaczami DC. Źródło Ga zabezpieczone przed wyciekaniem Ga z komórki (możliwe rozwiązania: dodatkowy kołnierz, odpowiednio umiejscowiona przesłona, odpowiednio dobrany kształt tygla). Źródło Ga zabezpieczone przed utlenianiem.







1.3.4.8.

Jedna komórka domieszki Co z tyglem o pojemności 12 cm3 (lub większym), z termoparą, regulatorem PID i zasilaczem DC.







1.3.4.9.

Wszystkie źródła w tym: elementy grzejne źródeł, tygle, przesłony; muszą być odporne na działanie aktywnego tlenu w zakresie temperatur ich pracy (przy ciśnieniu cząstkowym O2 do 5∙10-5 Torr).







1.3.4.10.

Komórki efuzyjne powinny być stabilizowane temperaturowo z dokładnością co najmniej 0.1oC.







1.3.5.

Elektronika sterująca i pakiety oprogramowania sterowania procesem wzrostu MBE







1.3.5.1.

Zasilanie elektryczne Urządzenia – prąd zmienny trójfazowy o napięciu 380 V, 50 Hz.







1.3.5.2.

Szafy z układami elektronicznymi i elektrycznymi do sterowania mocą, systemami bezpieczeństwa i wyłącznikiem awaryjnym, regulatory układu MBE, transformator napięcia (jeśli potrzebny).







1.3.5.3.

Komputer + oprogramowanie do sterowania układem MBE (źródłami, przesłonami, manipulatorem podłoży i innymi elementami układu) i programem bezpieczeństwa.

  1. Komputer sterujący z wyposażeniem zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania.

  2. Pakiet oprogramowania i osprzętu sterującego procesem, umożliwiający kontrolę i obserwację parametrów wzrostu w czasie rzeczywistym, gromadzenie i przechowywanie parametrów procesów wzrostu. Oprogramowanie musi zawierać edytor algorytmu wzrostu epitaksjalnego, umożliwiający programowanie sposobu wzrostu przez użytkownika

  3. Oprogramowanie powinno dawać możliwość definiowania i przechowywania w dedykowanej bazie danych procedur i parametrów wielu procedur (w wielu rożnych grupach dostępnych jedynie dla posiadających odpowiednie uprawnienia użytkowników), a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników.







1.3.5.4.

Osprzęt i oprogramowanie dla automatycznego, awaryjnego wyłączenia i zabezpieczenia systemu MBE w sytuacjach awaryjnych takich jak: obniżenie ciśnienia wody, rozszczelnienie układu próżniowego, zanik napięcia w sieci energetycznej, np. – np. przedmuch instalacji wodnej, automatyczne zawory odcinające.







1.3.6.

Urządzenie i jego konfiguracja musi umożliwić doposażenie i rozbudowę Urządzenia o co najmniej:







1.3.6.1.

Pomiar katodoluminescencji in-situ.







1.3.6.2.

Dodatkową komorę ze źródłem do napylania metali.







1.4.

Nietypowe parametry urządzenia i/lub jego wyposażenia istotne ze względu na sposób użytkowania, czy instalację. Wymagania co do wymiarów i wagi urządzenia.







1.4.1.

Wszystkie elementy wewnątrz komory wzrostu odporne na pracę w warunkach atmosfery silnie utleniającej i wysokiej temperatury.







1.4.2.

Urządzenie musi być kompatybilne z klasą czystości pomieszczenia „100”.







1.4.3.

Wymiary poszczególnych elementów Urządzenia muszą umożliwiać ich transport wewnątrz budynku do miejsca instalacji Urządzenia przez drzwi o wymiarach otworu: szerokość 150cm i wysokość 260cm, chyba że, Wykonawca uzyska pisemną akceptację Zamawiającego na niespełnienie tego warunku. W przypadku, gdy Wykonawca zaoferuje urządzenia o parametrach wymagających przy dostawie i instalacji zapewnienia szerokości otworu drzwi większej niż podana w dokumentacji projektowej, Zamawiający dopuszcza wyrażenie zgody na zmianę parametru szerokości drzwi. Zmiana wymagać będzie uzyskania pisemnej zgody projektanta na zmianę dokumentacji projektowej w tym zakresie. Wykonawca winien zwrócić się z odpowiednim wnioskiem do Zamawiającego w terminie umożliwiającym wprowadzenie odpowiednich zmian do dokumentacji projektowej, w tym gwarantującym wykonywanie robót budowlanych uwzględniających zmianę zgodnie Harmonogramem rzeczowo – finansowym.







1.4.4.

Wymiary Urządzenia w stanie gotowym do pracy muszą uwzględniać wysokość przestrzeni między sufitem podwieszanym i podniesioną podłogą, która wynosi 270cm.







1.4.5.

Wymiary zmontowanego Urządzenia wraz z jego strefą serwisową muszą mieścić się wewnątrz wyznaczonych linii ograniczających powierzchnię posadowienia Urządzenia zaznaczonych na planie rozmieszczenia urządzeń, chyba że Wykonawca uzyska pisemną akceptację Zamawiającego na niespełnienie tego warunku.







1.4.6.

Maksymalna waga Urządzenia musi uwzględniać przyjęte maksymalne obciążenie użytkowe wynoszące 5 kN/m 2.






1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   18


©snauka.pl 2016
wyślij wiadomość