Strona główna

Wzory formularzy


Pobieranie 2.11 Mb.
Strona5/18
Data19.06.2016
Rozmiar2.11 Mb.
1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   18

* wstawić odpowiednią wartość TAK lub NIE.

..............................., ............... 2013 r. .......................................................................

miejscowość, data podpis i pieczątka Wykonawcy

Wzór nr 3d

Znak postępowania: CEZAMAT/ZP01/2013

(pieczęć Wykonawcy)



CEZAMAT PW Sp. z o.o.

ul. Polna 50

00-644 Warszawa

OPIS URZĄDZEŃ APARATURY NAUKOWO – BADAWCZEJ

OFEROWANYCH PRZEZ WYKONAWCĘ

Budowa Laboratorium Centralnego wraz z dostawą elementów wyposażenia, a także dostawą, instalacją i uruchomieniem aparatury naukowo - badawczej w ramach prawa opcji.

Lp.

Nazwa urządzenia

Parametry wymagane

Potwierdzenie posiadania parametru

(TAK* / NIE*)

Oferowana wartość parametru


4.

Implantator jonów.

4.1.

Główne zastosowania.







4.1.1.

Implantator jonów – do obróbki pojedynczych próbek półprzewodnikowych do celów doświadczalnych oraz wytwarzania struktur prototypowych w małych ilościach.







4.1.2.

Domieszkowanie półprzewodników prostych (Si, Ge), wytwarzanie obszarów źródła S, drenu D, bramki G, formowanie napięcia progowego bramki Uth przyrządów CMOS, domieszkowanie obszarów emitera E, bazy B, kolektora C przyrządów bipolarnych, implantacja „Well” i „Halo”. Jony implantowane: B, BF2, P, As, Si. Temperatura podłoża kontrolowana poniżej 100oC.







4.1.3.

Domieszkowanie półprzewodników złożonych (III-V i II-VI). Jony implantowane grup IIb, IIIa, IVa (Si, Ge, Sn), Va, VIa







4.1.4.

Amorfizacja i defektowanie materiałów półprzewodnikowych. Jony implantowane Si, Ge, gazy szlachetne.







4.1.5.

Izolacja struktur laserów półprzewodnikowych. Jony implantowane : H, He, O.







4.1.6.

Wytwarzanie warstw SIMOX i SIMNI. Jony implantowane O, N . Temperatura podłoża 550 oC -600oC.







4.1.7.

Technologia „smart-cut”. Jony implantowane H. Kontrola (stabilizacja) temperatury podłoża w zakresie 30oC-500oC.







4.1.8.

Domieszkowanie jonami ziem rzadkich dla optoelektroniki.







4.1.9.

Domieszkowanie metalami przejściowymi dla zastosowań optoelektronicznych i spintronicznych.







4.2.

Przedmiot zamówienia wraz z wszystkimi opcjami i elementami wyposażenia dodatkowego, w jakie powinno być wyposażone urządzenie. Części składowe urządzenia/systemu (jeśli możliwe jest ich wyodrębnienie). Spis części i materiałów eksploatacyjnych, z którymi ma być dostarczone urządzenie.







4.2.1.

Implantator jonów;







4.2.2.

Separator mas;







4.2.3.

Komora robocza (tarczowa);







4.2.4.

Układ próżniowy;







4.2.5.

Sterowanie komputerowe wraz z oprogramowaniem;







4.2.6.

Diagnostyka;







4.2.7.

Komplet części eksploatacyjnych obejmujący standardowy zestaw oferowany przez producenta.







4.2.8.

Komplet materiałów eksploatacyjnych wymaganych do przeprowadzenia testów akceptacyjnych.







4.3.

Minimalne akceptowane parametry techniczne (zarówno samego urządzenia, jaki elementów wyposażenie dodatkowego), jakie powinno spełniać zamawiane urządzenie.







4.3.1.

Implantator jonów







4.3.1.1.

Możliwość generacji wiązek następujących jonów: B, BF2, P, As, H, gazów szlachetnych, O, N, Si, Ge, Sn, metali przejściowych, metali ziem rzadkich.







4.3.1.2.

Źródła jonów:







4.3.1.2.1.

zasilane gazami prostymi oraz gazowymi fluorkami i halogenkami (do generacji jonów H, O, N, He gazów szlachetnych oraz B i BF2 z BF3, P z PF5, Si z SiCl4 , itp. – mogą to być dwa różne źródła jonów)







4.3.1.2.2.

źródło jonów z piecem do odparowania ciał stałych, z możliwością zasilania gazami neutralnymi oraz CCl4







4.3.1.2.3.

źródło jonów sputteringowe do generacji jonów metali trudnotopliwych.







4.3.1.3.

Czas ciągłej pracy źródła jonów pomiędzy czynnościami serwisowymi nie mniejszy niż 40 godzin.







4.3.1.4.

Prąd wiązki jonów:







4.3.1.4.1.

Dla jonów B, BF2, P, As, H, co najmniej 0,5mA







4.3.1.4.2.

Dla jonów O co najmniej 0,5 mA, dla jonów N co najmniej 1 mA (do SIMOX)







4.3.1.4.3.

Dla jonów metali przejściowych i ziem rzadkich co najmniej 0,2 mA







4.3.1.5.

Napięcie przyspieszające







4.3.1.5.1.

Maksymalne napięcie - co najmniej 200kV,







4.3.1.5.2.

Minimalne napięcie - nie więcej niż 10kV







4.3.1.5.3.

Oscylacje napięcia przyspieszającego < 0,1%







4.3.1.6.

Czystość wiązki jonów (neutralne gazy resztkowe, zanieczyszczenia z rozpylania powierzchni konstrukcji implantatora jonów):







4.3.1.6.1

Co najwyżej 5 ppm.







4.3.1.7.

Kontrola i jednorodność dozy







4.3.1.7.1.

Jednorodność implantacji (dawki) po powierzchni próbki (tarczy) < 1,0 % na całej powierzchni dla średnicy próbki 200mm.







4.3.1.7.2.

Powtarzalność dawki <1% pomiędzy procesami







4.3.2.

Separator mas:







4.3.2.1.

Możliwość separacji jonów o masach atomowych do AMU 210.







4.3.2.2.

Praktyczna możliwość wyboru masy jonu w procesie technologicznym z dokładnością co do 1 AMU do masy jonu co najmniej AMU 50.







4.3.2.3.

Rozdzielczość separatora mas w celach diagnostyki wiązki jonów z dokładnością do 1 AMU w zakresie do 100 AMU – pod warunkiem, że separator mas przepuści jony o masie aż do 210 AMU.







4.3.3.

Komora robocza (tarczowa):







4.3.3.1.

Powierzchnia implantowana (tarczy)







4.3.3.1.1.

Średnica co najmniej 200mm







4.3.3.1.2.

Możliwość zawężenia obrabianej powierzchni (ograniczenie skaningu)







4.3.3.2.

Możliwość neutralizacji ładunku tarczy (obrabianej próbki)







4.3.4.

Uchwyty próbek:







4.3.4.1.

Możliwość obróbki próbek płaskich o powierzchni od 1mm2 do 31 400mm2







4.3.4.2.

Możliwość obróbki próbek o grubości do 2 cm







4.3.4.3.

Możliwość ustawienia kąta padania wiązki jonów do powierzchni próbki w zakresie 0o – 60o







4.3.4.4.

Możliwość stabilizacji temperatury implantowanej próbki w zakresie od -100oC do +600oC







4.3.4.5.

Chłodzenie próbek podczas implantacji i utrzymanie temperatury poniżej 100oC







4.3.5.

Układ próżniowy:







4.3.5.1.

Próżnia bezolejowa zapewniająca, że podczas procesu implantacji nie syntetyzuje się warstwa węglowa na powierzchni padania wiązki jonów (jakie wymagania na próżnię, czas itp.)







4.3.5.2.

Poziom próżni w komorze implantatora: nie gorsza niż
10 -6 Torr







4.3.5.3.

Czasy pompowania: maksymalny czas od momentu załadunku próbki do Urządzenia do chwili gotowości do rozpoczęcia procesu implantacji: dla załadunku próbek za pośrednictwem śluzy – mniej niż 10 minut, dla załadunku bezpośredniego do komory implantatora – mniej niż 30 min







4.3.6.

Sterowanie komputerowe wraz z oprogramowaniem:







4.3.6.1.

Sterowanie komputerowe z dedykowanym oprogramowaniem;







4.3.6.2.

Oprogramowanie musi pozwalać na płynną, ergonomiczną i pracę na Urządzeniu, w tym definiowanie wartości oczekiwanych i kontrolę wszystkich rzeczywistych parametrów procesu, bieżącego stanu Urządzenia i wszystkich jego układów (w tym także próżni), oraz powinno umożliwiać definiowanie i przechowywanie w dedykowanej bazie danych procedur i parametrów wielu procedur (w wielu rożnych grupach dostępnych jedynie dla posiadających odpowiednie uprawnienia użytkowników), a także powinno posiadać wielopoziomowy mechanizm nadawania praw dostępu i uprawnień dla użytkowników;







4.3.6.3.

Komputer sterujący z wyposażeniem zapewniający ergonomiczną, płynną i bezproblemową pracę Urządzenia przy korzystaniu z dedykowanego oprogramowania.







4.3.6.4.

Automatyka pomiaru dawki jonów i wyłączania procesu po osiągnięciu zadanej wartości.







4.3.6.5.

Automatyka ustawiania parametrów źródła jonów (prezentacja parametrów - napięcia i prądy na elektrodach, nacieki gazów, ekstrakcja)







4.3.6.6.

Automatyka/ diagnostyka ustawiania jednorodności implantacji (geometria wiązki i skanowanie)







4.3.6.7.

Skanowanie/ rejestracja/ prezentacja widma mas wiązki jonów.







4.3.6.8.

Automatyka wyboru masy jonu z uwzględnieniem wybranej energii jonu.







4.3.6.9.

Automatyka załadunku i rozładunku - ewentualnie automatyka uchwytów (temperatura położenie itp.)







4.3.6.10.

Automatyka/ diagnostyka próżni







4.3.6.11.

Diagnostyka systemu - detekcja / prezentacja/ reakcja w przypadku  awarii







4.3.6.12.

Monitorowanie/ prezentacja stanu systemu w czasie rzeczywistym (próżnia, źródło jonów, zasilacze, separator mas)







4.3.6.13.

Monitorowanie/ prezentacja stanu procesu w czasie rzeczywistym ( dawka zadana, dawka aktualna, prąd wiązki, masa jonu, napięcie przyśpieszające, jednorodność implantacji, dane dotyczące próbki m.in.: jej temperatura, położenie)







4.3.6.14.

Możliwość (alternatywnie) ręcznego sterowania układami próżniowymi.







4.3.7.

Diagnostyka:







4.3.7.1.

Pomiar napięcia przyspieszającego w zakresie 10kV-200kV z dokładnością <0,5%







4.3.7.2.

Pomiar dawki jonów w zakresie od 1e11/cm2 do 1e18/cm2 z dokładnością < 0,1%







4.3.7.3.

Monitorowanie jednorodności implantacji podczas procesu







4.4.

Nietypowe parametry urządzenia i/lub jego wyposażenia istotne ze względu na sposób użytkowania, czy instalację. Wymagania co do wymiarów i wagi urządzenia.







4.4.1.

Urządzenie musi być kompatybilne z klasą czystości pomieszczenia „1000”.







4.4.2.

Wymiary poszczególnych elementów Urządzenia muszą umożliwiać ich transport wewnątrz budynku do miejsca instalacji Urządzenia przez drzwi o wymiarach otworu: szerokość 150cm i wysokość 260cm, chyba że, Wykonawca uzyska pisemną akceptację Zamawiającego na niespełnienie tego warunku. W przypadku, gdy Wykonawca zaoferuje urządzenia o parametrach wymagających przy dostawie i instalacji zapewnienia szerokości otworu drzwi większej niż podana w dokumentacji projektowej, Zamawiający dopuszcza wyrażenie zgody na zmianę parametru szerokości drzwi. Zmiana wymagać będzie uzyskania pisemnej zgody projektanta na zmianę dokumentacji projektowej w tym zakresie. Wykonawca winien zwrócić się z odpowiednim wnioskiem do Zamawiającego w terminie umożliwiającym wprowadzenie odpowiednich zmian do dokumentacji projektowej, w tym gwarantującym wykonywanie robót budowlanych uwzględniających zmianę zgodnie Harmonogramem rzeczowo – finansowym.







4.4.3.

Wymiary Urządzenia w stanie gotowym do pracy muszą uwzględniać wysokość przestrzeni między sufitem podwieszanym i podniesioną podłogą, która wynosi 270cm.







4.4.4.

Wymiary zmontowanego Urządzenia wraz z jego strefą serwisową muszą mieścić się wewnątrz wyznaczonych linii ograniczających powierzchnię posadowienia Urządzenia zaznaczonych na planie rozmieszczenia urządzeń, chyba że Wykonawca uzyska pisemną akceptację Zamawiającego na niespełnienie tego warunku.







4.4.5.

Maksymalna waga Urządzenia musi uwzględniać przyjęte maksymalne obciążenie użytkowe wynoszące 5 kN/m 2 .







* wstawić odpowiednią wartość TAK lub NIE.
..............................., ............... 2013 r. .......................................................................

miejscowość, data podpis i pieczątka Wykonawcy


1   2   3   4   5   6   7   8   9   ...   18


©snauka.pl 2016
wyślij wiadomość